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ZTX549 参数 Datasheet PDF下载

ZTX549图片预览
型号: ZTX549
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内容描述: PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 58 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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PNP硅平面
中功率晶体管
第1期? MARCH 94
特点
* 30伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX549
ZTX549A
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗:在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
ZTX549A
基射
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
ZTX549
ZTX549A
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
70
80
40
100
150
-0.9
-0.85
200
130
80
160
200
3-191
300
500
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
-0.25
-0.50
分钟。
-35
-30
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.50
-0.75
-0.30
-1.25
-1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
-35
-30
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
单位
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
条件。
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ,T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA*
I
C
= -100mA ,我
B
=-1mA*
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA*
IC = -1A ,V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ,V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ,V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-2V*
V
V
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%