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    ZTX553 参数 Datasheet PDF下载

    ZTX553图片预览
    型号： ZTX553
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 53 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZTX553的Datasheet PDF文件第2页  
    PNP硅平面
    中功率晶体管
    第1期？ MARCH 94
    特点
    * 100伏V
    首席执行官
    * 1安培连续电流
    * P
    合计
    = 1瓦
    ZTX552
    ZTX553
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    功耗：在T
    AMB
    =25°C
    减免上述25℃
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j:
    T
    英镑
    ZTX552
    -100
    -80
    -5
    -2
    -1
    1
    5.7
    电子线
    TO92兼容
    ZTX553
    -120
    -100
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    毫瓦/°C的
    °C
    -55到+200
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    维持电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压ONN
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    ZTX552
    分钟。
    -100
    -80
    -5
    -0.1
    -0.1
    -0.25
    -1.1
    -1.0
    40
    10
    150
    12
    3-196
    150
    40
    10
    150
    12
    马克斯。
    ZTX553
    分钟。
    -120
    -100
    -5
    -0.1
    -0.1
    -0.25
    -1.1
    -1.0
    200
    兆赫
    兆赫
    马克斯。
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    单位
    条件。
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-80V
    V
    CB
    =-100V
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -150mA ，我
    B
    =-15mA*
    I
    C
    = -150mA ，我
    B
    =-15mA*
    I
    C
    = -150mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -150mA ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-10V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V
    f=100MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    发射极截止电流I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    V
    V
    V
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%

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