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ZTX605 参数 Datasheet PDF下载

ZTX605图片预览
型号: ZTX605
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内容描述: NPN硅平面中功率(达林顿晶体管) [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 77 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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NPN硅平面中功率
达林顿晶体管
第1期? MARCH 94
特点
* 120伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* 2K的增益,在我
C
= 1安培
* P
合计
= 1瓦
ZTX604
ZTX605
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
ZTX604
分钟。
120
100
10
0.01
10
I
EBO
I
CES
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
0.1
10
1.0
1.5
1.8
1.7
3-212
马克斯。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
ZTX605
分钟。
140
120
10
马克斯。
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
电子线
TO92兼容
ZTX604
120
100
10
4
1
1
5.7
-55到+200
单位
条件。
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=100V
V
CB
=120V
V
CB
=100V,
T
AMB
=100°C
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=100V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安,我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ,我
B
=1mA*
I
C
= 1A ,我
B
=1mA*
IC = 1A ,V
CE
=5V*
ZTX605
140
120
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
0.01
10
0.1
发射极截止
当前
Colllector发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
10
1.0
1.5
1.8
1.7
V
V
V
V