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型号: ZTX614
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内容描述: NPN硅平面中功率达林顿晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
NPN硅平面中功率
达林顿晶体管
第1期?四月94
特点
* 100伏V
首席执行官
* 800 mA连续电流
对10K的I *增益
C
=500mA
* P
合计
= 1瓦
ZTX614
C
B
E
详阅BCX38关于图
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
120
100
10
800
1.0
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
mA
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
维持电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
符号
V
( BR ) CBO
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
I
CBO
分钟。
120
100
10
100
100
1.25
1.8
5000
10000
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
条件。
I
C
=10
µ
A,I
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0*
I
E
=10
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 8V ,我
C
=0
I
C
= 800毫安,我
B
=8mA*
IC = 800毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
静态正向电流ħ
FE
传输比
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
3-215