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    ZTX618 参数 Datasheet PDF下载

    ZTX618图片预览
    型号： ZTX618
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率高增益晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 150 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZTX618的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZTX618的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZTX618的Datasheet PDF文件第4页  
    ZTX618
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    集电极发射极
    截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态前进
    电流传输
    比
    过渡
    频率
    输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    7
    80
    210
    0.93
    0.86
    200
    300
    170
    40
    100
    400
    450
    300
    85
    140
    23
    170
    400
    30
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    分钟。
    20
    20
    5
    典型值。
    100
    27
    8.3
    100
    100
    100
    15
    150
    255
    1.05
    1.0
    MAX 。 UNIT
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    mV
    mV
    mV
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =16V
    V
    EB
    =4V
    V
    CES
    =16V
    I
    C
    = 0.1A ，我
    B
    =10mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =10mA*
    I
    C
    = 3.5A ，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 3.5A ，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 3.5A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    =的200mA， V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 3A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 10A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    f=100MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 10V ，我
    C
    =1A
    I
    B1
    =-I
    B2
    =10mA
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%

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