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ZTX651 参数 Datasheet PDF下载

ZTX651图片预览
型号: ZTX651
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内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 3 页 / 67 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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NPN硅平面
中功率晶体管
第2期? JULY 94
特点
* 60伏V
首席执行官
* 2安培连续电流
*低饱和电压
* P
合计
= 1瓦
ZTX650
ZTX651
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
ZTX651
MAX 。 MIN 。 TYP 。
80
60
5
0.1
10
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
0.12
0.23
0.9
0.8
0.1
0.3
0.5
1.25
1
0.12
0.23
0.9
0.8
0.1
10
0.1
0.3
0.5
1.25
1
马克斯。
ZTX650
60
45
5
6
2
1
5.7
电子线
TO92兼容
ZTX651
80
60
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
工作和存储温度范围
ZTX650
MIN 。 TYP 。
60
45
5
-55到+200
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
符号
单位条件。
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
µ
A
集电极 - 基
V
( BR ) CBO
击穿电压
集电极 - 发射极
V
( BR ) CEO
击穿电压
发射极 - 基
V
( BR ) EBO
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
I
CBO
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=45V
V
CB
=60V
V
CB
=45V,
T
AMB
=100°C
V
CB
=60V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=4V
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 2A ,我
B
=200mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
IC = 1A ,V
CE
=2V*
V
V
V
V
3-219