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    ZTX653 参数 Datasheet PDF下载

    ZTX653图片预览
    型号： ZTX653
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面（中功率晶体管） [NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS)]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 64 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZTX653的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX653的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN硅平面
    中功率晶体管
    第2期？ JULY 94
    特点
    * 100伏V
    首席执行官
    * 2安培连续电流
    *低饱和电压
    * P
    合计
    = 1瓦
    ZTX652
    ZTX653
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    功耗
    在T
    AMB
    =25°C
    减免上述25℃
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    ZTX653
    MAX 。 MIN 。 TYP 。
    120
    100
    5
    0.1
    10
    I
    EBO
    0.13
    0.23
    0.9
    0.8
    0.1
    0.3
    0.5
    1.25
    1
    0.13
    0.23
    0.9
    0.8
    马克斯。
    ZTX652
    100
    80
    5
    6
    2
    1
    5.7
    电子线
    TO92兼容
    ZTX653
    120
    100
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    毫瓦/°C的
    °C
    工作和存储温度范围
    ZTX652
    MIN 。 TYP 。
    100
    80
    5
    -55到+200
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿
    电压
    集电极 - 发射极
    击穿
    电压
    发射极 - 基
    击穿
    电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    单位条件。
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =80V
    V
    CB
    =100V
    V
    CB
    =80V,
    T
    AMB
    =100°C
    V
    CB
    =100V,
    T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =200mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    IC = 1A ，V
    CE
    =2V*
    0.1
    10
    0.1
    0.3
    0.5
    1.25
    1
    集电极 - 发射极
    V
    CE （ SAT ）
    饱和电压
    基射
    V
    BE （ SAT ）
    饱和电压
    基射
    导通电压
    V
    BE（上）
    V
    V
    V
    V
    3-222

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