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ZTX655 参数 Datasheet PDF下载

ZTX655图片预览
型号: ZTX655
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内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关局域网
文件页数/大小: 2 页 / 47 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号ZTX655的Datasheet PDF文件第2页  
NPN硅平面
中功率晶体管
第2期? JULY 94
特点
* 150伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
*低饱和电压
* P
合计
= 1瓦
ZTX654
ZTX655
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
ZTX654
125
125
5
2
1
1
电子线
TO92兼容
ZTX655
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
-55到+200
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
过渡
频率
输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
敖包
50
50
20
30
20
3-225
ZTX654
ZTX655
分钟。
125
125
5
100
100
0.5
0.5
1.1
1.0
50
50
20
30
20
兆赫
pF
MAX 。 MIN 。
150
150
5
100
100
0.5
0.5
1.1
1.0
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100
µ
A,I
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0*
I
E
=100
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CB
= 125V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
I
C
= 1A ,我
B
=200mA*
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=5V
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 1A ,V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安,V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
= 20V , F = 1MHz的