ZTX851 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ZTX851
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内容描述：	NPN硅平面中功率大电流晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	3 页 / 65 K
品牌：	ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

ZTX851

电气特性（在T

AMB

= 25°C)

参数

基射

导通电压

静态前进

电流传输

比

跃迁频率

输出电容

开关时间

符号

BE（上）

100

分钟。

典型值。

840

200

120

130

1100

马克斯。

950

300

兆赫

单位

条件。

IC = 4A ，V

=1V*

= 10毫安，V

=1V

= 2A ，V

=1V*

= 5A ，V

=1V*

= 10A ，V

=1V*

= 100mA时V

=10V

f=50MHz

= 10V ， F = 1MHz的

= 1A ，我

=100mA

= 100mA时V

=10V

敖包

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

热特性

参数

热阻：结到环境

结到外壳

符号

日（ J- AMB ）

号（j -情况下）

马克斯。

150

单位

° C / W

最大功率耗散 - （瓦特）

4.0

热阻（ ° C / W）

150

特区

D =吨

3.0

100

D=0.6

2.0

1.0

AMB

ient牛逼

EMP

eratu

-40 -20

20 40

D=0.2

D=0.1

60 80 100 120 140 160 180 200

0.0001

D=0.05

单脉冲

0.001

0.01

0.1

100

牛逼 - 温度

(°C)

脉冲宽度（秒）

降额曲线

最大瞬态热阻抗

3-295

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