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    ZTX855 参数 Datasheet PDF下载

    ZTX855图片预览
    型号： ZTX855
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面中功率大电流晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 75 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZTX855的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX855的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN硅平面中功率
    高电流晶体管
    第2期？ MARCH 94
    特点
    * 150伏V
    首席执行官
    * 4安培连续电流
    *可达10安培的峰值电流
    *非常低饱和电压
    * P
    合计
    = 1.2瓦
    ZTX855
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    实际功耗*
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    TOTP
    P
    合计
    T
    j
    ： TSTG
    250
    150
    6
    10
    4
    1.58
    1.2
    电子线
    TO92兼容
    价值
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    W
    °C
    -55到+200
    *可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
    P.C.B.用铜等于1英寸见方的最小
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    voltag
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CER
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CER
    R
    ≤
    1K
    Ω
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    20
    35
    60
    210
    960
    2-300
    分钟。
    250
    250
    150
    6
    典型值。
    375
    375
    180
    8
    50
    1
    50
    1
    10
    40
    60
    100
    260
    1100
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    IC=1
    µ
    A， RB
    ≤
    1K
    Ω
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =200V
    V
    CB
    = 200V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    CB
    =200V
    V
    CB
    = 200V ，T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =6V
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA*
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =400mA*
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =400mA*
    µ
    A
    µ
    A
    基射
    饱和电压
    V
    BE （ SAT ）

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