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    ZVN3306A 参数 Datasheet PDF下载

    ZVN3306A图片预览
    型号： ZVN3306A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型垂直DMOS FET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管PC
    文件页数/大小： 3 页 / 49 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZVN3306A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVN3306A的Datasheet PDF文件第3页  
    N沟道增强
    模式垂直DMOS FET
    第2期？ MARCH 94
    特点
    * 60伏V
    DS
    * R
    DSON ）
    =5Ω
    ZVN3306A
    D
    G
    S
    电子线
    TO92兼容
    绝对最大额定值。
    参数
    漏源电压
    连续漏电流在T
    AMB
    =25°C
    漏电流脉冲
    栅源电压
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    DM
    V
    GS
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    60
    270
    3
    ±
    20
    625
    -55到+150
    单位
    V
    mA
    A
    V
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    漏源击穿
    电压
    门极 - 源
    电压
    门体漏
    零栅压漏
    当前
    通态漏电流（ 1 ）
    静态漏源导通状态
    电阻（1）
    符号最小值。
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    150
    35
    25
    8
    5
    7
    6
    8
    750
    5
    60
    0.8
    2.4
    20
    0.5
    50
    MAX 。单位条件。
    V
    V
    nA
    µA
    µA
    mA
    Ω
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DD
    ≈18V,
    I
    D
    =500mA
    V
    DS
    =18V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    =0V
    ID = 1mA时， V
    DS
    = V
    GS
    V
    GS
    =± 20V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    =60V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    =48V, V
    GS
    = 0V ，T = 125°C
    (2)
    V
    DS
    =18V, V
    GS
    =10V
    V
    GS
    =10V,I
    D
    =500mA
    V
    DS
    =18V,I
    D
    =500mA
    正向跨导（ 1 ） （2克
    fs
    )
    输入电容（ 2 ）
    共源输出
    电容（2）
    反向传输电容
    (2)
    导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    上升时间（ 2 ）（3）
    关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    下降时间（2）（ 3）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    （1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
    ≤2%
    3-375
    (
    2 ）样品测试。

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