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ZVN4106F 参数 Datasheet PDF下载

ZVN4106F图片预览
型号: ZVN4106F
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS FET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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SOT23封装N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期 - 1995年12月
PARMARKING详细信息 - MZ
ZVN4106F
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
最大功率耗散在T
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
60
0.2
3
±
20
330
-55到+150
单位
V
A
A
V
mW
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流( 1 )
静态漏源导通状态
电阻(1)
符号最小值。
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
150
35
25
8
5
7
6
8
1
2.5
5
60
1.3
3
100
10
50
MAX 。单位条件。
V
V
nA
µA
µA
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=150mA
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ,T = 125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA
V
GS
= 5V ,我
D
=200mA
V
DS
= 25V ,我
D
=250mA
正向跨导( 1 ) (2克
fs
)
输入电容( 2 )
共源输出
电容(2)
反向传输电容
(2)
导通延迟时间( 2 ) ( 3 )
上升时间( 2 )(3)
关断延迟时间( 2 ) ( 3 )
下降时间(2)( 3)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
( 2 )样品测试。
( 3 )测量500Ω源阻抗和&lt开关时间;为5ns上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
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