ZVN4206G
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号最小值。
60
1.3
3
100
10
100
3
1
1.5
300
100
60
20
8
12
12
15
马克斯。
单位条件。
V
V
nA
µA
µA
A
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
= 1.5A ，V
根
=10V
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=1.5A
V
GS
= 5V ，我
D
=0.5A
V
DS
=25V,I
D
=1.5A
漏源击穿电压BV
DSS
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
正向跨导（ 1 ） （ 2 ）G
fs
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输电容（ 2 ）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
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ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
