SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1995年10月
特点
*非常低R
DS （ ON）
= .33Ω
应用
*直流 - 直流转换器
*螺线管/继电器驱动汽车
PARTMARKING详细信息 -
ZVN4306
ZVN4306G
D
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
价值
60
2.1
15
±
20
3
-55到+150
单位
V
A
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
符号最小值。
60
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
12
0.22
0.32
0.7
350
140
30
8
25
30
16
0.33
0.45
1.3
单位条件。
V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
nA
µA
µA
A
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
V
根
= 10V ，我
D
=3A
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=10V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
V
GS
= 5V ，我
D
=1.5A
V
DS
=25V,I
D
=3A
3
20
10
100
导通状态漏极
I
D（上）
Current(1)
静态漏源
R
DS （ ON）
通态电阻（ 1 ）
前锋
跨导（1）
输入电容（ 2 ）
常见的来源
输出电容（ 2 ）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间
(2)(3)
上升时间（ 2 ）（3）
打开-O FF延迟时间
(2)(3)
下降时间（2）（ 3）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
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ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
