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    ZVN4525GTA 参数 Datasheet PDF下载

    ZVN4525GTA图片预览
    型号： ZVN4525GTA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 250V N沟道增强型MOSFET [250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 411 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ZVN4525GTA的Datasheet PDF文件第8页  
    ZVN4525G
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    门源阈值电压
    静态漏源导通电阻（ 1 ）
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    0.8
    250
    285
    35
    ±1
    1.4
    5.6
    5.9
    6.4
    0.3
    0.475
    500
    ±100
    1.8
    8.5
    9.0
    9.5
    V
    nA
    nA
    V
    Ω
    Ω
    Ω
    S
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =250V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±40V, V
    DS
    =0V
    I = 1mA时， V
    DS
    = V
    GS
    D
    符号最小值。
    典型值。
    马克斯。
    UNI条件。
    T
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =500mA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =360mA
    V
    GS
    = 2.4V ，我
    D
    =20mA
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =0.3A
    正向跨导（ 3 ）
    动态
    (3)
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    SWITCHING(2)
    (3)
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    闸漏极电荷
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压（ 1 ）
    反向恢复时间（ 3 ）
    反向恢复电荷（ 3 ）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    72
    11
    3.6
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    =25 V, V
    GS
    =0V,
    f=1MHz
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    1.25
    1.70
    11.40
    3.50
    2.6
    0.2
    0.5
    3.65
    0.28
    0.70
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =25V,V
    GS
    =10V,
    I
    D
    = 360毫安（参照
    测试电路）
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    =360mA
    R
    G
    =50Ω, V
    GS
    =10V
    （请参考测试电路）
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    186
    34
    0.97
    260
    48
    V
    ns
    nC
    T
    j
    = 25 ° C，I
    S
    =360mA,
    V
    GS
    =0V
    T
    j
    = 25 ° C，I
    F
    =360mA,
    的di / dt = 100A / μs的
    （1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2% .
    （ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
    （ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
    第1期 - 2001年3月
    4

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