SOT223 N沟道增强模式
低阈值垂直DMOS FET
第2期 - 1996年1月
特点
* V
DS
- 200V
* R
DS （ ON）
- 10Ω
7
ZVNL120G
D
PARTMARKING详细信息 - ZVNL120
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
200
320
2
±
20
2
-55到+150
单位
V
mA
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
符号最小值。
BV
DSS
200
0.5
1.5
100
10
100
500
10
10
200
85
20
7
8
8
20
12
MAX 。单位条件。
V
V
nA
µA
µA
mA
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=250mA
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=160V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=5V
V
GS
= 5V ，我
D
=250mA
V
GS
= 3V ，我
D
=125mA
V
DS
= 25V ，我
D
=250mA
门源阈值电压V
GS （ TH）
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
正向跨导（ 1 ） （ 2 ）G
fs
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
C
国际空间站
C
OSS
反向传输电容（ 2 ）C
RSS
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
3 - 420
ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
