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ZVP0545A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ZVP0545A
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 1 页 / 53 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期? MARCH 94
特点
* 450伏V
DS
* R
DS ( ON)
=150Ω
ZVP0545A
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-450
-45
-400
±
20
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
700
-55到+150
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流( 1 )
静态漏源
通态电阻( 1 )
正向跨导
(1)(2)
输入电容( 2 )
共源输出
电容(2)
反向传输
电容(2)
导通延迟时间( 2 ) ( 3 )
上升时间( 2 )(3)
关断延迟时间( 2 ) ( 3 )
下降时间(2)( 3)
符号最小值。
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
40
120
20
5
10
15
15
20
-100
150
-450
-1.5
-4.5
20
-20
-2
MAX 。单位条件。
V
V
nA
µ
A
mA
I
D
= -1mA ,V
GS
=0V
ID = -1mA ,V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-450 V, V
GS
=0
V
DS
=-360 V, V
GS
=0V,
T=125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-50mA
V
DS
=-25V,I
D
=-50mA
mA
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25 V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DD
-25V ,我
D
=-50mA
(1)脉冲条件下进行测定。宽= 300
µ
秒。占空比
2%
( 2 )样品测试。
3-413
(
3