欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    ZVP2106G 参数 Datasheet PDF下载

    ZVP2106G图片预览
    型号： ZVP2106G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 3 页 / 75 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZVP2106G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVP2106G的Datasheet PDF文件第3页  
    SOT223 p沟道增强
    模式垂直DMOS FET
    第3期？ 96年3月
    特点
    * 60伏V
    DS
    * R
    DS （ ON）
    =5Ω
    PARTMARKING详细信息： -
    互补式： -
    ZVP2106
    ZVN2106G
    ZVP2106G
    D
    S
    D
    G
    绝对最大额定值。
    参数
    漏源电压
    连续漏电流在T
    AMB
    =25°C
    漏电流脉冲
    门源电压
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    漏源击穿
    电压
    门极 - 源
    电压
    门体漏
    零栅压漏
    当前
    通态漏电流（ 1 ）
    符号最小值。
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    -1
    5
    150
    100
    60
    20
    7
    15
    12
    15
    -60
    -1.5
    -3.5
    20
    -0.5
    -100
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    DM
    V
    GS
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -60
    -450
    -4
    ±
    20
    单位
    V
    mA
    A
    V
    W
    °C
    2
    -55到+150
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    MAX 。单位条件。
    V
    V
    nA
    µ
    A
    µ
    A
    I
    D
    = -1mA ，V
    GS
    =0V
    I
    D
    = -1mA ，V
    DS
    = V
    GS
    V
    GS
    =
    ±
    20V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    =-60 V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    =-48 V, V
    GS
    = 0V ，T = 125°C
    (2)
    V
    DS
    =-18 V, V
    GS
    =-10V
    V
    GS
    =-10V,I
    D
    =-500mA
    V
    DS
    =-18V,I
    D
    =-500mA
    A
    Ω
    静态漏源导通国家科研
    DS （ ON）
    电阻（1）
    正向跨导
    (1)(2)
    输入电容（ 2 ）
    共源输出
    电容（2）
    反向传输
    电容（2）
    导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    上升时间（ 2 ）（3）
    关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    下降时间（2）（ 3）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DS
    =-18V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    V
    DD
    ≈
    -18V ，我
    D
    =-500mA
    （1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    （ 2 ）样品测试。
    （3 ）测定的，用50开关时间
    Ω
    源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
    3 - 426

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6