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    ZVP2110G 参数 Datasheet PDF下载

    ZVP2110G图片预览
    型号： ZVP2110G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 105 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZVP2110G的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 p沟道增强
    模式垂直DMOS FET
    第2期？ MARCH 94
    特点
    * 100伏V
    DS
    * R
    DS （ ON）
    =8Ω
    7
    ZVP2110G
    D
    互补式？ ZVN2110G
    PARTMARKING详细信息？ ZVP2110
    G
    D
    S
    绝对最大额定值。
    参数
    漏源电压
    连续漏电流在T
    AMB
    =25°C
    漏电流脉冲
    门源电压
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    DM
    V
    GS
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -100
    -310
    -3
    ±
    20
    单位
    V
    mA
    A
    V
    W
    °C
    2
    -55到+150
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    漏源击穿
    电压
    门极 - 源
    电压
    门体漏
    零栅压漏
    当前
    通态漏电流（ 1 ）
    符号最小值。
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    -750
    8
    125
    100
    35
    10
    7
    15
    12
    15
    -100
    -1.5
    -3.5
    20
    -1
    -100
    MAX 。单位条件。
    V
    V
    nA
    µ
    A
    µ
    A
    I
    D
    = -1mA ，V
    GS
    =0V
    ID = -1mA ，V
    DS
    = V
    GS
    V
    GS
    =
    ±
    20V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    =-100 V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    =-80 V, V
    GS
    = 0V ，T = 125°C
    (2)
    V
    DS
    =-25 V, V
    GS
    =-10V
    V
    GS
    =-10V,I
    D
    =-375mA
    V
    DS
    =-25V,I
    D
    =-375mA
    mA
    Ω
    静态漏源导通国家科研
    DS （ ON）
    电阻（1）
    正向跨导
    (1)(2)
    输入电容（ 2 ）
    共源输出
    电容（2）
    反向传输
    电容（2）
    导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    上升时间（ 2 ）（3）
    关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
    下降时间（2）（ 3）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DS
    =-25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    V
    DD
    ≈
    -25V ，我
    D
    =-375mA
    （1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2 ％ （ 2 ）样品测试。
    3 - 429

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