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ZVP3306A 参数 Datasheet PDF下载

ZVP3306A图片预览
型号: ZVP3306A
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 85 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZVP3306A
典型特征
120
100
80
注: V
DS =
-10V
60
40
20
0
0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
120
100
80
注: V
DS =
-10V
60
40
20
0
0 -1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
g
fs
-Transconductance (MS )
g
fs
-Transconductance (MS )
I
D
- 漏电流(安培)
V
GS
-Gate源极电压(伏特)
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
V
GS
-Gate源极电压(伏特)
60
50
40
30
20
10
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
C
国际空间站
注: V
GS =
0V
f=1MHz
2
1
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
0.5
1.0
1.5
V
DS
=
-20V -40V -60V
注:我
D=-
0.2A
C-电容(pF )
C
OSS
V
DS
- 漏源极电压(伏特)
Q-栅极电荷( NC)
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3-431