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ZVP4424A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ZVP4424A
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS FET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关
文件页数/大小: 3 页 / 111 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期?九月94
特点
* 240伏V
DS
* R
DS ( ON)
=9Ω
*低门槛
应用
*电子提举臂
ZVP4424A
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
-240
-200
-1
±
40
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
mA
A
V
mW
°C
750
-55到+150
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流
静态漏源
导通状态电阻
前锋
跨导(1)( 2)
输入电容( 2 )
共源输出
电容(2)
反向传输
电容(2)
导通延迟时间( 2 ) ( 3 )
上升时间( 2 )(3)
关断延迟时间( 2 ) ( 3 )
下降时间(2)( 3)
符号最小值。
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
125
100
18
5
8
8
26
20
200
25
15
15
15
40
30
-0.75
-1.0
7.1
8.8
9
11
-240
-0.7
-1.4
-2.0
100
-10
-100
典型值
MAX 。 UNIT
V
V
nA
µ
A
µ
A
条件。
I
D
= -1mA ,V
GS
=0V
ID = -1mA ,V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
40V, V
DS
=0V
V
DS
=-240 V, V
GS
=0
V
DS
=-190V, V
GS
= 0V ,T = 125°C
V
DS
=-10 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-200mA
V
GS
=-3.5V,I
D
=-100mA
V
DS
=-10V,I
D
=-0.2A
A
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DD
≈−
50V ,我
D
=-0.25A,
V
=-10V
(1)脉冲条件下进行测定。宽= 300
µ
秒。占空比
2 % ( 2 )样品测试。
(3 )测定的,用50开关时间
源阻抗和< 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
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