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ZXM62P02E6 参数 Datasheet PDF下载

ZXM62P02E6图片预览
型号: ZXM62P02E6
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内容描述: 20V P沟道增强型MOSFET [20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 207 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXM62P02E6
典型特征
700
-V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
Vgs=0V
f=1Mhz
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
ID=-1.6A
Ç - 电容(pF )
600
500
400
300
200
100
0
0.1
1
10
100
西塞
科斯
CRSS
VDS=-16V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
DS
- 漏源电压( V)
Q - 费( NC )
电容V漏源电压
门源电压V栅极电荷
基本栅极电荷波形
栅极电荷测试电路
开关时间波形
开关时间测试电路
暂定发行A - 1999年7月
110