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    ZXMHC6A07T8TA 参数 Datasheet PDF下载

    ZXMHC6A07T8TA图片预览
    型号： ZXMHC6A07T8TA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补60V增强型MOSFET H桥 [COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 10 页 / 287 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号ZXMHC6A07T8TA的Datasheet PDF文件第9页  
    ZXMHC6A07T8
    P沟道
    电气特性
    （在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    门源阈值电压
    静态漏源导通电阻
    (1)
    正向跨导
    (1)(3)
    动态
    (3)
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关
    (2) (3)
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压
    (1)
    反向恢复时间
    (3)
    反向恢复电荷
    (3)
    笔记
    （1）脉冲条件下进行测定。宽度
    ≤300µs.
    占空比
    ≤
    2% .
    （ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
    （ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
    符号
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    条件
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    -60
    -1
    100
    -1.0
    0.425
    0.630
    1.8
    V
    A
    nA
    V
    Ω
    Ω
    S
    I
    D
    = -250μA ，V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-60V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V, V
    DS
    =0V
    I = -250μA ，V
    DS
    = V
    GS
    D
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-0.9A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-0.8A
    V
    DS
    =-15V,I
    D
    =-0.9A
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    233
    17.4
    9.6
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    =-30 V, V
    GS
    =0V,
    f=1MHz
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    1.6
    2.3
    13
    5.8
    2.4
    5.1
    0.7
    0.7
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =-30V,V
    GS
    =-10V,
    I
    D
    =-0.9A
    V
    DS
    =-30V,V
    GS
    =-5V,
    I
    D
    =-0.9A
    V
    DD
    = -30V ，我
    D
    =-1A
    R
    G
    ≅
    6.0
    Ω,
    V
    GS
    =-10V
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    -0.85
    22.6
    23.2
    -0.95
    V
    ns
    nC
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    =-0.8A,
    V
    GS
    =0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    =-0.9A,
    的di / dt = 100A / μs的
    第1期 - 2004年7月
    5
    半导体

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