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ZXMN2F34FHTA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMN2F34FHTA图片预览
型号: ZXMN2F34FHTA
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内容描述: SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET [20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 433 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMN2F34FH
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
导通状态电阻
(*)
前锋
(*)(†)
动态
(†)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
(‡)(†)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
V
SD
0.73
1.2
V
I
S
= 1.25A ,V
GS
=0V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.65
4.2
9.9
5.1
2.8
0.61
0.63
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
6.0Ω
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
277
65
35
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V
f=1MHz
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
7.5
0.5
0.8
20
1
100
1.5
0.060
0.120
V
µA
nA
V
S
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ,V
DS
=V
GS
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 2.5A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 1.0A
V
DS
= 10V ,我
D
= 2.5A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
300μS ;占空比
≤2%.
( ‡ )为设计辅助而已,不受生产测试。
( † )的开关特性是独立的工作结温。
第1期 - 2008年1月
©捷特科PLC 2008
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