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    ZXMN3A04DN8TC 参数 Datasheet PDF下载

    ZXMN3A04DN8TC图片预览
    型号： ZXMN3A04DN8TC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双30V N沟道增强型MOSFET [DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 188 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXMN3A04DN8TC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXMN3A04DN8TC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXMN3A04DN8TC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXMN3A04DN8TC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXMN3A04DN8TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZXMN3A04DN8TC的Datasheet PDF文件第7页  
    ZXMN3A04DN8
    电气特性
    （在T
    A
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    门源阈值电压
    静态漏源导通电阻
    (1)
    正向跨导（ 3 ）
    动态
    (3)
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    SWITCHING(2)
    (3)
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压（ 1 ）
    反向恢复时间（ 3 ）
    反向恢复电荷（ 3 ）
    笔记
    （1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2% .
    （ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
    （ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
    符号
    分钟。
    30
    典型值。
    马克斯。
    单位条件。
    V
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =30V, V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±20V, V
    DS
    =0V
    I = 250μA ，V
    DS
    = V
    GS
    D
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =12.6A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =10.6A
    V
    DS
    =15V,I
    D
    =12.6A
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    0.5
    100
    1.0
    0.02
    0.03
    22.1
    1890
    349
    218
    5.2
    6.1
    38.1
    20.2
    19.9
    36.8
    5.8
    7.1
    0.85
    18.4
    11
    0.95
    µA
    nA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    =0V,
    f=1MHz
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =15V,V
    GS
    =10V,
    I
    D
    =6.5A
    V
    DS
    =15V,V
    GS
    =5V,
    I
    D
    =6.5A
    V
    DD
    = 15V ，我
    D
    =1A
    R
    G
    =6.0Ω, V
    GS
    =10V
    V
    ns
    nC
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    =6.8A,
    V
    GS
    =0V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    =2.3A,
    的di / dt = 100A / μs的
    第2期 - 2002年10月
    4

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