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ZXMN3A06DN8 参数 Datasheet PDF下载

ZXMN3A06DN8图片预览
型号: ZXMN3A06DN8
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内容描述: 双30V N沟道增强型MOSFET [DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 184 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMN3A06DN8
典型特征
中T = 25℃
10V
4V
T = 150℃
10V
4V
I
D
漏电流( A)
I
D
漏电流( A)
10
1
0.1
3V
2.5V
2V
V
GS
1.5V
10
1
3.5V
3V
2.5V
2V
1.5V
0.1
V
GS
1V
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
V
DS
漏源极电压( V)
1
10
V
DS
漏源极电压( V)
输出特性
1.6
输出特性
V
GS
= 10V
I
D
= 1.5A
R
DS ( ON)
归一化ř
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
I
D
漏电流( A)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
0
10
T = 150℃
中T = 25℃
1
V
GS ( TH)
V
GS
= V
DS
I
D
= 250uA
V
DS
= 10V
0.1
1
2
3
4
50
100
150
V
GS
栅源电压( V)
TJ结温( ° C)
典型的传输特性
100
归一化曲线V温度
100
R
DS ( ON)
漏源导通电阻
(Ω)
10
1
0.1
0.01
0.1
2V
V
GS
2.5V
3V
4V
10V
I
SD
反向漏电流( A)
中T = 25℃
T = 150℃
10
中T = 25℃
1
1
10
0.1
0.2
导通电阻V漏极电流
I
D
漏电流( A)
V
SD
源极 - 漏极电压( V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
第2期 - 2002年10月
5