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ZXMN6A07ZTA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMN6A07ZTA图片预览
型号: ZXMN6A07ZTA
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内容描述: 60V N沟道增强型MOSFET [60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 1013 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMN6A07Z
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C (B )
V GS = 10V ; T A = 70 ° C( B)
V GS = 10V ; T A = 25 ° C(一)
漏电流脉冲(三)
连续源电流(体二极管) (二)
脉冲源电流(体二极管) (三)
在T A功率耗散= 25 ° C(一)
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗(二)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
60
20
1.9
1.5
1.4
6
2.4
6
1.5
12
2.6
21
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J : T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境(一)
结到环境(二)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件
( b)对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
(三)重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.05 ,脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线图
第1期 - 2002年3月
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