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ZXMN6A09GTA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMN6A09GTA图片预览
型号: ZXMN6A09GTA
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内容描述: 60V N沟道增强型MOSFET [60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 195 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMN6A09G
电气特性
(在T
A
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导( 3 )
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压( 1 )
反向恢复时间( 3 )
反向恢复电荷( 3 )
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
26.3
26.6
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C,I
S
=6.6A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C,I
F
=3.5A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.9
5.0
25.3
4.6
12.4
24.2
5.2
3.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=3.5A
V
DD
= 15V ,我
D
=3.5A
R
G
≅6.0Ω,
V
GS
=10V
(参考试验
电路)
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=3.5A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1407
121
59
pF
pF
pF
V
DS
=40 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
( BR ) DSS
60
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
15
1.0
0.045
0.070
1
100
V
µA
nA
V
S
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I = 250μA ,V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ,我
D
=8.2A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=7.4A
V
DS
=15V,I
D
=8.2A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件
笔记
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
2% .
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
临时版本D - 2003年9月
半导体
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