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ZXMS6001N3TA 参数 Datasheet PDF下载

ZXMS6001N3TA图片预览
型号: ZXMS6001N3TA
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内容描述: 60V N沟道自我保护的增强型MOSFET INTELLIFETTM [60V N-channel self protected enhancement mode INTELLIFETTM MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 207 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXMS6001N3
60V N沟道自我保护的增强型
IntelliFET
TM
MOSFET
摘要
连续漏源电压V
DS
= 60V
导通状态电阻
675mΩ
最大额定负载电流(a)
最小额定负载电流( C)
钳位能源
1.1A (V
IN
= 5V)
0.7A (V
IN
= 5V)
550mJ
描述
低输入电流自我保护低端MOSFET适用于VIN = 5V
应用程序。单片过温,过流,过压
(有源钳位)和ESD保护的逻辑电平的功能。意为
一个通用的开关。
注意:
该选项卡连接到源极引脚必须是电气隔离
从漏极引脚。的显著铜连接到漏极引脚
S
建议最佳的散热性能。
S
D
IN
特点
短路保护,自动重启
过电压保护器(有源钳位)
自动重启热关断
过电流保护
输入保护( ESD )
负载突降保护(主动保护负载)
低输入电流
SOT223
订购信息
设备
ZXMS6001N3TA
SOT223
零件标记
ZXMS6001
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
12压花
QUANTITY
每卷
1,000
©捷特科PLC 2008