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    ZXT10N20DE6TA 参数 Datasheet PDF下载

    ZXT10N20DE6TA图片预览
    型号： ZXT10N20DE6TA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 20V NPN硅低饱和开关晶体管 [20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 234 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXT10N20DE6TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXT10N20DE6TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXT10N20DE6TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXT10N20DE6TA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXT10N20DE6TA的Datasheet PDF文件第6页  
    ZXT10N20DE6
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    8
    90
    115
    190
    0.96
    0.85
    200
    300
    200
    100
    100
    400
    450
    360
    180
    140
    23
    170
    400
    30
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    分钟。
    20
    20
    5
    典型值。
    100
    27
    8.3
    100
    100
    100
    15
    150
    135
    250
    1.0
    0.90
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =100 A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100 A
    V
    CB
    =16V
    V
    EB
    =4V
    V
    CES
    =16V
    I
    C
    = 0.1A ，我
    B
    =10mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =10mA*
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =50mA*
    I
    C
    = 3.5A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 3.5A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 3.5A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 0.2A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 6A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =10V
    f=100MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 10V ，我
    C
    =3A
    I
    B1
    =I
    B2
    =10mA
    基射极饱和电压
    基射极导通电压
    静态正向电流传输
    比
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    跃迁频率
    输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2%
    第1期 - 2000年9月
    4

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