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    ZXTD1M832TA 参数 Datasheet PDF下载

    ZXTD1M832TA图片预览
    型号： ZXTD1M832TA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MPPSTM微型封装的电源解决方案双路12V PNP低饱和开关晶体管 [MPPSTM Miniature Package Power Solutions DUAL 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体开关晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 216 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXTD1M832TA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXTD1M832TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXTD1M832TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXTD1M832TA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXTD1M832TA的Datasheet PDF文件第6页  
    ZXTD1M832
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    -10
    -100
    -100
    -195
    -240
    基射极饱和电压
    基射极导通电压
    静态正向电流传输
    比
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    300
    300
    180
    60
    45
    跃迁频率
    输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    100
    -0.97
    -0.87
    475
    450
    275
    100
    70
    110
    21
    70
    130
    30
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    分钟。
    -20
    -12
    -7.5
    典型值。
    -35
    -25
    8.5
    -25
    -25
    -25
    -17
    -140
    -150
    -300
    -300
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    条件。
    I
    C
    =-100 A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100 A
    V
    CB
    =-16V
    V
    EB
    =-6V
    V
    CES
    =-10V
    I
    C
    = -0.1A ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-10mA*
    I
    C
    = -1.5A ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -4A ，我
    B
    =-150mA*
    I
    C
    = -4A ，我
    B
    =150mA*
    I
    C
    = -4A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -0.1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -2.5A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -8A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -10A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V
    f=100MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = -6V ，我
    C
    =-2A
    I
    B1
    =I
    B2
    =-50mA
    -1.050 V
    -0.950 V
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2%
    第1期 - 2002年6月
    4

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