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ZXTD4591E6TA 参数 Datasheet PDF下载

ZXTD4591E6TA图片预览
型号: ZXTD4591E6TA
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内容描述: 双60V NPN / PNP硅中功率晶体管 [DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 165 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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ZXTD4591E6
NPN
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
100
100
80
30
150
10
分钟。
80
60
5
100
100
100
0.25
0.5
1.1
1.0
300
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=60V
V
EB
=4V
V
CES
=60V
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 1A ,我
B
=100mA*
I
C
= 1A ,V
CE
=5V*
I
C
= 1mA时, V
CE
=5V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V*
I
C
= 1A ,V
CE
=5V*
I
C
= 2A ,V
CE
=5V*
兆赫
pF
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
第1期 - 2000年7月
4