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    ZXTN2011ZTA 参数 Datasheet PDF下载

    ZXTN2011ZTA图片预览
    型号： ZXTN2011ZTA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 100V NPN低饱和中功率晶体管SOT89 [100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 112 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号ZXTN2011ZTA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXTN2011ZTA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXTN2011ZTA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXTN2011ZTA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXTN2011ZTA的Datasheet PDF文件第6页  
    ZXTN2011Z
    电气特性
    （在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极发射极击穿电压
    集电极发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    符号
    BV
    CBO
    BV
    CER
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    CER
    ř 1K
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    20
    45
    85
    155
    基极发射极饱和电压
    基极发射极导通电压
    静态正向电流传输比
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    100
    100
    30
    10
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    f
    T
    C
    敖包
    t
    ON
    t
    关闭
    1000
    900
    230
    200
    60
    20
    130
    26
    41
    1010
    300
    分钟。
    200
    200
    100
    7
    典型值。
    235
    235
    115
    8.1
    50
    0.5
    100
    0.5
    10
    30
    60
    115
    195
    1100
    1000
    MAX 。单位条件
    V
    V
    V
    V
    nA
    A
    nA
    A
    nA
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    I
    C
    = 100 A
    I
    C
    = 1 A， RB
    I
    C
    = 10毫安*
    I
    E
    = 100 A
    V
    CB
    = 150V
    V
    CB
    = 150V ，T
    AMB
    =100 C
    V
    CB
    = 150V
    V
    CB
    = 150V ，T
    AMB
    =100 C
    V
    EB
    = 6V
    I
    C
    = 0.1A ，我
    B
    = 5毫安*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    = 100毫安*
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    = 100毫安*
    I
    C
    = 5A ，我
    B
    = 500毫安*
    I
    C
    = 5A ，我
    B
    = 500毫安*
    I
    C
    = 5A ，V
    CE
    = 2V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 2V*
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    = 2V*
    I
    C
    = 5A ，V
    CE
    = 2V*
    I
    C
    = 10A ，V
    CE
    = 2V*
    兆赫我
    C
    = 100mA时V
    CE
    = 10V
    f=50MHz
    pF
    ns
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的*
    I
    C
    = 1A ，V
    CC
    = 10V,
    I
    B1
    = I
    B2
    = 100毫安
    1k
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
    300秒;占空比
    2%.
    第2期 - 2006年5月
    半导体
    4

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