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型号: ZDV262
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内容描述: 硅外延平面二极管 [Silicon Epitaxial Planar Diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 1 页 / 46 K
品牌: ZHAOXINGWEI [ Zhaoxingwei Electronics ., Ltd ]
   
SMD型
硅外延平面二极管
二极管
ZDV262
SOD-323
+0.1
1.7
-0.1
单位:mm
+0.05
0.3
-0.05
+0.05
0.85
-0.05
特点
高电容比: C2V / C25V = 12.5 (典型值)
低串联电阻值:R
s
=0.6
(典型值)。
0.475
0.375
+0.1
2.6
-0.1
1.0max
优秀简历的特点,跟踪误差小。
有用的小尺寸调谐器。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE ř
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S YM B○升
V
R
V
RM
T
j
T
s TG
伏鲁é
34
3 5 (R
L
= 1 0 K
125
-5 5 + 1 2 5
)
加利IT
V
V
电气特性TA = 25
参数
反向电压
反向电流
电容
符号
V
R
I
R
C
2V
C
25V
电容比
串联电阻
注意:
可在匹配的组容量为2.0 % 。
C(最大值) - C (最小值)
C(最小)
(V
R
=2~25V)
0.02
C
2V
/C
25V
C
25V
/C
28V
r
s
V
R
= 5V , F = 470 MHz的
条件
I
R
= 1
A
34
10
33
2.6
12
1.03
0.6
0.8
35.5
2.85
12.5
38
3.0
典型值
最大
单位
V
nA
pF
V
R
= 28 V
F = 1兆赫; V
R
= 2 V
F = 1兆赫; V
R
= 25 V
记号
记号
UQ
+0.05
0.1
-0.02
+0.1
1.3
-0.1