Z8FMC16100系列闪存MCU
产品speci fi cation
215
2.写
5Eh
到Flash控制寄存器选择闪存扇区保护寄存器。
3.读取和/或写入闪存扇区保护寄存器，它现在所在的注册
文件地址
FF9h
.
4.写
00h
该Flash控制寄存器的Flash控制器返回到其复位状态。
闪存写保护选项位
闪存写保护选项位可允许禁止所有编程和擦除操作
可以提供用户代码。参阅
字节编程
当闪存控制器被解锁，写程序存储器的用户代码
编程一个字节到Flash ，如果地址位于在解锁页面。擦除
闪存字节包含所有的（
FFH
） 。编程操作只能用于
变位从一个零。要改变一个动画比特（或多个比特）从零到一
需要一个页擦除或整体擦除操作。
字节编程可以使用eZ8 CPU的LDC或LDCI指令来执行。
参阅
eZ8 CPU用户手册（ UM0128 ）
对于最不发达国家和LDCI的说明
指令。
而闪存控制器方案的闪存中， eZ8 CPU空闲，但系统
时钟和片上外设继续工作。中断发生时，编程
明操作过程中提供服务后，编程操作完成。对
退出编程模式并锁定闪存控制器，写
00h
到Flash控制
注册。
用户代码不能闪存程序存储器的页面位于受保护的行业上。当
用户代码写入存储单元中，只有位于所述解锁页面地址是亲
编程。内存写入解锁页面之外被忽略。
注意事项：
每个存储单元不能被设计的两倍多前擦除是重
quired 。
正确的步骤，从用户代码编程闪存是：
1.写
00h
到Flash控制寄存器复位闪存控制器。
2.写的内存页被编程到页面选择寄存器。
3.写第一个解锁命令
73h
到Flash控制寄存器。
4.写第二个解锁命令
8Ch
到Flash控制寄存器。
5.重写写在第2步到页选择寄存器页。
使用LDC或LDCI指令编程闪存6.写入程序存储器。
7.重复步骤6到编程在同一页上附加的存储器位置。
PS024604-1005
初步
字节编程
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