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U62256AS2C10LL 参数 Datasheet PDF下载

U62256AS2C10LL图片预览
型号: U62256AS2C10LL
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内容描述: 标准的32K ×8 SRAM [STANDARD 32K X 8 SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 164 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U62256A  
Data Retention Mode  
E-Controlled  
VCC  
4.5 V  
VCC(DR) 2 V  
2.2 V  
2.2 V  
tDR  
trec  
Data Retention  
E
0 V  
V
- 0.2 V V  
V  
+ 0.3 V  
CC(DR)  
E(DR)  
CC(DR)  
Data Retention  
Characteristics  
Symbol  
Alt. IEC  
Conditions  
Min. Typ. Max.  
Unit  
Data Retention Supply Voltage  
Data Retention Supply Current  
V
2
5.5  
V
CC(DR)  
CC(DR)  
I
VCC(DR) = 3 V  
VE  
= VCC(DR) - 0.2 V  
C-Type  
K-Type  
A-Type  
3
6
µA  
µA  
µA  
30  
Data Retention Setup Time  
Operating Recovery Time  
t
t
See Data Retention  
Waveforms (above)  
0
ns  
ns  
CDR  
su(DR)  
t
t
t
R
rec  
cR  
Test Configuration for Functional Check  
5 V  
A0  
VCC  
A1  
A2  
A3  
A4  
DQ0  
DQ1  
A5  
960  
A6  
VIH  
VIL  
DQ2  
DQ3  
A7  
A8  
A9  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
VO  
30 pF e  
E
W
G
510  
VSS  
e
In measurement of t  
t
, t  
, t  
, t  
, t  
the capacitance is 5 pF.  
dis(E), dis(W) dis(G) en(E) en(W) en(G)  
6
April 20, 2004