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    U6264BS2K07LL 参数 Datasheet PDF下载

    U6264BS2K07LL图片预览
    型号： U6264BS2K07LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 标准5K ×8 SRAM [STANDARD 5K X 8 SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 163 K
    品牌： ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
     浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号U6264BS2K07LL的Datasheet PDF文件第9页  
    U6264B  
    Read Cycle 1 (during Read cycle: E1 = G = VIL, E2 = W = VIH)  
    tcR  
    Ai  
    Addresses Valid  
    ta(A)  
    DQi  
    Previous Data Valid  
    tv(A)  
    Output Data Valid  
    Output  
    Read Cycle 2 (during Read cycle: W = VIH)  
    tcR  
    Ai  
    Addresses Valid  
    ta(E)  
    tt(QX)  
    tsu(A)  
    E1  
    tdis(E)  
    tdis(E)  
    tsu(A)  
    ta(E)  
    tt(QX)  
    E2  
    G
    ta(G)  
    tdis(G)  
    tt(QX)  
    DQi  
    High-Z  
    Output Data Valid  
    Output  
    Write Cycle 1 (W-controlled)  
    tcW  
    Ai  
    Addresses Valid  
    tsu(E)  
    th(A)  
    E1  
    E2  
    tsu(E)  
    tw(W)  
    tsu(A)  
    W
    tsu(D)  
    th(D)  
    DQi  
    Input Data Valid  
    Input  
    tdis(W)  
    tt(QX)  
    DQi  
    High-Z  
    Output  
    G
    April 20, 2004  
    7

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