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UL62H256ASK35G1 参数 Datasheet PDF下载

UL62H256ASK35G1图片预览
型号: UL62H256ASK35G1
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内容描述: 低电压的汽车快32K ×8 SRAM [Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 162 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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UL62H256A  
Data Retention Mode  
E - controlled  
VCC  
3.0 V  
V
CC(DR) 2 V  
2.2 V  
2.2 V  
tsu(DR)  
trec  
Data Retention  
E
0 V  
V
- 0.2 V V  
V  
+ 0.3 V  
CC(DR)  
CC(DR)  
E(DR)  
Data Retention  
Characteristics  
Symbol  
Alt. IEC  
VCC(DR)  
Conditions  
Min. Typ. Max.  
Unit  
Data Retention Supply Voltage  
Data Retention Supply Current  
2
V
ICC(DR) VCC(DR) = 2V  
VE  
= VCC(DR) - 0.2 V  
K-Type  
A-Type  
5
µA  
µA  
20  
Data Retention Setup Time  
Operating Recovery Time  
tCDR  
tR  
tsu(DR) See Data Retention  
0
ns  
ns  
Waveforms (above)  
trec  
tcR  
Test Configuration for Functional Check  
3.0 V  
VCC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
DQ0  
DQ1  
1076  
A5  
A6  
VIH  
VIL  
DQ2  
DQ3  
A7  
A8  
A9  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
VO  
30 pF e  
E
W
1260  
VSS  
G
e
In measurement of t  
,t  
, t  
, t  
, t  
the capacitance is 5 pF.  
6
dis(E) dis(W) en(E) en(W) en(G)  
May 07, 2004