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U62256AS2A10LL 参数 Datasheet PDF下载

U62256AS2A10LL图片预览
型号: U62256AS2A10LL
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内容描述: 标准的32K ×8 SRAM [STANDARD 32K X 8 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 164 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U62256A
标准的32K ×8 SRAM
特点
!
32768x8位CMOS静态RAM
!
访问时间70 ns的100纳秒
!
常见的数据输入和
描述
该U62256A是一个静态RAM
使用CMOS亲制
塞斯技术具有以下
操作模式:
- 阅读
- 待机
- 写
- 数据保留
存储器阵列的基础上的
6晶体管单元。
该电路是由fal-激活
E.凌缘的地址和
控制输入​​同时打开。
根据W的信息
和G时,数据输入,或输出
是活动的。在读周期中,
数据输出被激活的
下降的G力,事后
数据字读将在
输出DQ0 - DQ7 。后
地址变化时,数据输出
进入高阻抗,直到新的信息
读是可用的。数据输出
没有最好的状态。
读出周期是由成品
落下W的边缘,或者由上升
,边E分别。
数据保存期限保证下
2五,除E号,所有
输入包括NOR门,所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。
数据输出
!
三态输出
!
典型值。工作电源电流
70纳秒: 50毫安
为100 ns : 40毫安
!
TTL / CMOS兼容
!
全自动降低电源
耗散在漫长读周期
!
电源电压为5 V + 10 %
!
工作温度范围
0至70℃
-40到85°C
-40至125℃的
!
QS 9000质量标准
!
ESD保护> 2000伏
( MIL STD 883C M3015.7 )
!
闭锁抗扰度>100毫安
!
封装: PDIP28 ( 600万)
SOP28 ( 330万)
引脚配置
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
20
19
18
17
16
15
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
PDIP
SOP
21
顶视图
2004年4月20日
1