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U6264BS2C07 参数 Datasheet PDF下载

U6264BS2C07图片预览
型号: U6264BS2C07
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内容描述: 标准5K ×8 SRAM [STANDARD 5K X 8 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 163 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U6264B
开关特性
Alt键。
时间到输出中低Z
周期
写周期时间
读周期时间
存取时间
低E1或E2 HIGH到数据有效
G低到数据有效
地址到数据有效
脉冲宽度
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
设置时间
地址建立时间
芯片使能写操作的结束
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
从写结束地址保持
从地址变更输出保持时间
高E1或E2低到输出的高阻
W¯¯低到输出的高阻
摹高到输出的高阻
t
LZ
t
WC
t
RC
t
ACE
t
OE
t
AA
t
WP
t
CW
t
AS
t
CW
t
WP
t
DS
t
DH
t
AH
t
OH
t
HZCE
t
HZWE
t
HZOE
符号
IEC
t
T( QX )
t
cW
t
cR
t
一( E)
t
一( G)
t
a(A)
t
w(W)
t
W( E)
t
SU( A)
t
SU( E)
t
SU( W)
t
SU( D)
t
H( D)
t
H( A)
t
V(A)
t
DIS ( E)
t
DIS ( W)
t
DIS ( G)
分钟。
5
70
70
-
-
-
50
65
0
65
50
35
0
0
5
0
0
0
25
30
25
70
40
70
马克斯。
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保留模式E1-控制
4.5 V
V
CC ( DR )
2 V
2.2 V
t
DR
0V
数据保留
t
REC
2.2 V
E1
0V
V
CC
数据保留模式E2-控制
V
CC
V
CC ( DR )
2 V
t
DR
0.8 V
数据保留
V
E2(DR)
0.2 V
t
REC
0.8 V
E2
4.5 V
V
E2(DR)
V
CC ( DR )
- 0.2 V或V
E2(DR)
0.2 V
V
CC ( DR )
- 0.2 V
V
E1(DR)
V
CC ( DR )
+ 0.3 V
芯片取消到数据保留时间
营业恢复时间
t
DR
:
t
REC
:
分0 NS
闵吨
cR
2004年4月20日
5