U62H64SK35LG1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	U62H64SK35LG1
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内容描述：	汽车快速8K ×8 SRAM [AUTOMOTIVE FAST 8K X 8 SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	9 页 / 163 K
品牌：	ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]

U62H64

汽车快速8K ×8 SRAM

特点

快8192 ×8位的静态CMOS

描述

该U62H64是一个静态RAM制造

采用CMOS工艺factured

技术具有以下ope-

评价方式：

- 阅读

- 待机

- 写

- 数据保留

存储器阵列的基础上的

6晶体管单元。

该电路是由活化的崛起

素E2（ E1处= L）或下降沿的边沿

E1的边缘（在E 2 = H）。该

地址和控制输入端开路

同时。

根据W的信息

和G时，数据输入，或输出

是活动的。在读周期中，

数据输出被激活的

下降的G力，事后

数据字读将在

输出DQ0 - DQ7 。后

地址变化时，数据输出

进入高阻抗，直到新的读取Infor公司

息是可用的。数据输出

看跌不首选国家。如果

内存是由CMOS电平驱动

在活动状态，并且如果没有

地址变更，数据输入

和控制信号W或G，在

工作电流（在我

= 0 mA时）

下降到操作的值

当前，在待机模式。该

读周期由落下完

E 2或W ，或者由上升沿

，边缘E1分别。

数据保存期限保证下

2 V.

除E1和E2的，

所有投入由或非门的，所以

没有上拉/下拉电阻

是必需的。

这门电路

可以实现低功耗

通过激活待机要求

与TTL电平也。

内存

35 ns访问时间

双向数据输入和数据

输出

三态输出

在Vcc > 2V的数据保持方式

数据保持电流为2 V ：

< 3 μA （ K型）

< 50 μA （ A型）

待机电流

< 5 μA （ K型）

< 100 μA （ A型）

TTL / CMOS兼容

自动降低功率

耗散在漫长读取或写入

周期

电源电压为5 V

工作温度范围

-40到85°C

-40至125

°C

QS 9000质量标准

ESD保护> 2000伏

（ MIL STD 883C M3015.7 ）

闭锁抗扰度> 200毫安

包装： SOP28 （ 300万）

引脚配置

引脚说明

北卡罗来纳州

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

VCC

W（ WE）

E2 （ CE2 ）

A11

G（ OE ）

A10

E1 （ CE1 ）

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

信号名称

A0 - A12

DQ0 - DQ7

VCC

VSS

北卡罗来纳州

信号说明

地址输入

IN / OUT数据

芯片使能1

芯片使能2

OUTPUT ENABLE

写使能

电源电压

地

没有连接

SOP

顶视图

2004年4月20日

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