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    U634H256D1A45 参数 Datasheet PDF下载

    U634H256D1A45图片预览
    型号： U634H256D1A45
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [POWERSTORE 32K X 8 NVSRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 248 K
    品牌： ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
     浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第1页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第3页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第6页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第7页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第8页浏览型号U634H256D1A45的Datasheet PDF文件第9页  
    U634H256
    DC特性
    符号
    V
    CC
    I
    OH
    I
    OL
    V
    CC
    V
    OH
    V
    OL
    V
    CC
    高
    低
    输出漏电流
    高在三语句输出
    在低三语句输出
    I
    OHZ
    I
    OLZ
    I
    IH
    I
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    CC
    V
    OH
    V
    OL
    条件
    = 4.5 V
    = -4毫安
    = 8毫安
    = 4.5 V
    = 2.4 V
    = 0.4 V
    = 5.5 V
    = 5.5 V
    = 0V
    = 5.5 V
    = 5.5 V
    = 0V
    1
    -1
    µA
    µA
    1
    -1
    µA
    µA
    分钟。
    马克斯。
    单位
    输出高电压
    输出低电压
    输出高电流
    输出低电流
    输入漏电流
    V
    OH
    V
    OL
    I
    OH
    I
    OL
    2.4
    0.4
    -4
    8
    V
    V
    mA
    mA
    SRAM存储器操作
    符号
    Alt键。
    t
    AVAV
    t
    AVQV
    t
    ELQV
    t
    GLQV
    t
    EHQZ
    t
    GHQZ
    t
    ELQX
    t
    GLQX
    t
    AXQX
    t
    ELICCH
    t
    EHICCL
    IEC
    t
    cR
    t
    a(A)
    t
    一（ E）
    t
    一（ G）
    t
    DIS （ E）
    t
    DIS （ G）
    t
    烯（ E）
    t
    EN（ G）
    t
    V（A）
    t
    PU
    t
    PD
    5
    0
    3
    0
    25
    25
    35
    45
    单位
    分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
    25
    25
    25
    10
    10
    10
    5
    0
    3
    0
    35
    35
    35
    35
    15
    13
    13
    5
    0
    3
    0
    45
    45
    45
    45
    20
    15
    15
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    开关特性
    号
    读周期
    1读周期时间
    f
    2地址访问时间到数据有效
    g
    3芯片使能存取时间到数据有效
    4输出启用访问时间到数据有效
    [5] E高到输出的高阻
    h
    6G的高到输出的高阻
    h
    7低辐射LOW到输出中低Z
    8 G低到输出低-Z
    地址变更后的9输出保持时间
    10芯片使能为功耗工作
    e
    11片禁用于电源待机
    D，E
    e:
    f:
    g:
    h:
    参数的保证，但未经测试。
    设备不断选择与E和G两个低。
    地址有效之前或有E过渡LOW一致。
    测
    ±
    200毫伏的稳态输出电压。
    4
    2004年4月21日

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