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U634H256D1C25G1 参数 Datasheet PDF下载

U634H256D1C25G1图片预览
型号: U634H256D1C25G1
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内容描述: POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [POWERSTORE 32K X 8 NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 248 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U634H256
框图
EEPROM阵列
512 x (64 x 8)
A5
A6
A7
A8
A9
A11
A12
A13
A14
DQ0
DQ1
输入缓冲器
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
E
W
商店
行解码器
SRAM
ARRAY
512排x
64× 8列
商店/
召回
控制
V
CCx中
V
SS
V
动力
控制
召回
V
CCx中
V
HSB
列I / O
列解码器
软件
检测
A0 - A13
A0 A1 A2 A3 A4 A10
G
真值表的SRAM操作
经营模式
待机/未选择
内部读
*
H或L
特征
所有电压都参考V
SS
= 0V (接地) 。
所有特征都在该电源电压范围内,并在规定的工作温度范围内有效。
动态测量是基于对一个上升和下降时间
5纳秒,介于10%和90 %的V测量
I
,以及
V的输入电平
IL
= 0 V和V
IH
= 3 V的所有输入和输出信号的定时基准电平为1.5伏,
除吨的
DIS
-times和T
en
-times ,在这种情况下,过渡测量
±
200毫伏的稳态电压。
E
H
L
L
L
HSB
H
H
H
H
W
*
G
*
DQ0 - DQ7
高-Z
高-Z
数据输出低Z
数据输入高阻
H
H
L
H
L
*
绝对最大额定值
a
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
C型
K型
A型
m型
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
a
分钟。
-0.5
-0.3
-0.3
马克斯。
7
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
1
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
°C
0
-40
-40
-55
-65
70
85
125
125
150
储存温度
a:
T
英镑
应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级,并在条件超过上述业务部门所标明的这个规范是设备的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
2004年4月21日