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U634H256D1M35G1 参数 Datasheet PDF下载

U634H256D1M35G1图片预览
型号: U634H256D1M35G1
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内容描述: POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [POWERSTORE 32K X 8 NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 248 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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U634H256
PowerStore
32K ×8的nvSRAM
特点
!
高性能CMOS非易失
!
!
!
!
描述
该U634H256有两个独立的
的操作模式: SRAM的模式
和非易失性模式。在SRAM
模式下,存储器操作为
普通的静态RAM 。在非易失
操作中,数据在传送
从SRAM并行EEPROM或
从EEPROM来SRAM 。在这
模式SRAM功能disab-
LED 。
该U634H256是一个快速静态RAM
(25 ,35, 45纳秒) ,具有非易失性的
ELECTRICALLY
可擦写
舞会
(EEPROM)中的元素引入
在每个静态存储器单元。该
SRAM可以读取和写入的
无限次,而
独立的非易失性数据住宅建设
沙漠中的EEPROM 。数据传输
从SRAM到EEPROM
(实体店经营)发生
时自动断电
利用电荷存储在外部
100 μF的电容。
从EEPROM的转让
SRAM (调用操作)
上电自动发生
了。
该U634H256结合了高
性能和易用性的一个的
快速SRAM与非易失性数据
诚信。
引脚说明
32
31
30
29
28
27
VCCX
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
北卡罗来纳州
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
挥发性静态RAM 32768 ×8位
25 , 35和45 ns的访问时间
10,15和20 ns的输出使能
访问时间
I
CC
= 15毫安(典型值) 。在200 ns的周期
时间
自动STORE到EEPROM
在使用外部电源关闭
电容
硬件或软件启动
商店
(存储周期时间< 10毫秒)
自动定时商店
10
5
商店循环到EEPROM
10年的数据保留
EEPROM
自动恢复开机时
软件启动召回
( RECALL周期时间< 20
µs)
从无限RECALL周期
EEPROM
采用5 V单
±
10 %操作
工作温度范围:
0到70
°C
-40到85
°C
-40 / -55〜 125°C (仅35纳秒)
QS 9000质量标准
ESD保护> 2000伏
( MIL STD 883C M3015.7 - HBM )
封装: SOP32 ( 300万) ,
PDIP32 ( 600万,只有C / K型)
商店周期也可以是倡
通过软在用户控制下特德
洁具序列或通过一个引脚
( HSB ) 。
一旦一条STORE周期开始,
进一步的输入或输出被禁用
直到周期结束。
因为地址序列
用于商店开始,它是
重要的是,没有任何其他读或
写访问干预
序列或该序列将是
中止。
RECALL周期也可能是倡
泰德通过软件序列。
在内部,召回是一个两步
过程。首先,该SRAM的数据是
清零;第二, nonvola-
瓦片的信息被转移到
SRAM单元。
在没有办法调用操作
改变的数据在EEPROM中
细胞。非易失性数据可以是
召回的数量不受限制
次。
引脚配置
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
北卡罗来纳州
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
顶视图
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCCX
VSS
VCAP
HSB
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
电容
硬件控制存储/忙
PDIP
SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
2004年4月21日
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