U634H256
设备操作
该U634H256具有两个单独的操作模式：
SRAM模式和非易失性模式。内存ope-
率SRAM模式为标准快速静态RAM 。
数据传输在非易失模式从SRAM到
EEPROM （存储操作），或者从EEPROM中
SRAM （调用操作） 。在这种模式下的SRAM
功能被禁止。
STORE周期可能在用户控制下通过启动
软件序列或HSB断言，并且还自动
matically启动时的电源电压电平
的芯片低于V
开关
。 RECALL操作
自动上电时也发起并可能
发生在V
CCx中
上升超过V
开关
之后，一个低
功率条件。 RECALL周期也可以被启动
通过一个软件程序。
SRAM读
该U634H256执行一个读周期时ê
和G低， HSB和W HIGH 。该
在针脚上指定的地址A0 - A14决定了的
在32768个数据字节将被访问。当
读由地址转换时，输出启动
吨的延迟之后将是有效
cR
。如果读取启动
通过E或G，输出将在t有效
一（ E）
或者在t
一（ G）
,
以较迟者为准。数据输出将反复
响应地址内的T变化
cR
存取时间
而不需要任何控制输入引脚过渡
并且将继续有效，直到另一个地址变更或
直到E或G被拉高或W或HSB被带到
低。
SRAM写
非易失性软件商店
写周期完成时E和W分别
LOW和HSB高。地址输入必须是
稳定之后才能进入写周期和必须的
保持稳定，直到东或者西变为高电平时结束
的怪圈。引脚DQ0数据 - 7将被写入
入存储器，如果它是有效吨
SU（ D）
在W年底前
控制的写入或T
SU（ D）
一个E月底前CON-
受控写。
所以建议G的过程中保持高
整个写周期，以避免对数据总线争用
通用I / O线。若G是左低，内部电路会
关闭输出缓冲器吨
DIS （ W）
W¯¯后变低。
自动STORE
在正常操作中， U634H256将利用电流
从V租
CCx中
到充电连接到电容器
在V
帽
引脚。此存储的电荷将被使用的
芯片进行单店操作。如果
电压在V
CCx中
引脚低于V
开关
中，部分
会自动断开V
帽
引脚从V
CCx中
2004年4月21日
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该U634H256软件控制STORE周期
由六个执行顺序读周期开始
具体地址位置。依靠读周期
只是，在U634H256实现非易失性操作
同时保持与标准兼容32K ×8的
的SRAM 。在商店周期，预的擦除
vious非易失性数据被首先执行，然后是一
所有非易失性元件的并行编程。一旦
一条STORE周期开始，进一步的输入和输出
被禁用，直到周期结束。
因为地址的序列被用于商店
开始时，重要的是，没有其他的READ或WRITE
存取介入的序列或该序列中
将被中止。
启动存储周期以下READ
序列必须执行：
并启动存储操作。
图1示出了电容器的正确连接
自动存储操作。电荷存储capa-
citor应该有一个容量100 F （ ±20％）的6五
每个U634H256必须有自己的100 μF的电容。
每个U634H256必须具有高品质，高频
0.1 μF之间连接昆西旁路电容
V
帽
和V
SS
使用线索和痕迹是短
可能。这种电容并不能取代正常的
与预期的高频旁路电容
电源电压和V
SS
.
为了防止不必要的存储操作，自动
马蒂奇商店，以及那些由外部发起
驾驶HSB低将被忽略，除非至少有一个
由于大多数WRITE操作已经发生
最近STORE周期。需要注意的是，如果HSB驱动为低电平
通过外部电路，并没有写入操作发生，
该部分将仍然被禁止，直到HSB允许
回报高。启动软件商店周期是针对每个
形成无论是否有写操作
化已经发生。
自动召回
上电时，自动RECALL发生。在
低功率状态（电源电压V <
开关
)
内部调用请求会被锁存。一旦
作为电源电压超过检测电压
V
开关
，请求RECALL周期将自动
发起并会采取吨
恢复
来完成。
如果U634H256处于写状态时的端
开机记得， SRAM的数据将被破坏。
为了避免这种情况，一个10 kΩ的电阻应为
连接W和电源电压之间。
ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
