欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

U634H256SM45G1 参数 Datasheet PDF下载

U634H256SM45G1图片预览
型号: U634H256SM45G1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [POWERSTORE 32K X 8 NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 248 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
 浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第11页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第12页浏览型号U634H256SM45G1的Datasheet PDF文件第14页  
U634H256
禁用自动专卖店: STORE周期抑制和自动上电RECALL
V
5.0 V
V
开关
t
禁止商店
上电
召回
(24)
t
恢复
动力
供应
V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CCx中
HSB
动力
供应
10 kΩ
(可选,
看描述HSB
非易失性存储)
0.1
µF
绕行
V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CCx中
HSB
10 kΩ
(可选,
看描述HSB
非易失性存储)
+
100
µF
±
20 %
0.1
µF
绕行
V
SS
V
SS
图1 :自动存储操作
原理图
图2 :禁用自动STORES
原理图
较低的平均有功功率
该U634H256已被设计为显著画
少当E为低(芯片使能),但功率
存取周期时间比55毫微秒更长的时间。
当E为高电平时,芯片仅消耗待机电流
租。
通过该部分得出的总平均电流取决于
对以下项目:
1. CMOS或TTL电平输入
2.时间在此期间,芯片被禁止(E高)
3.周期时间访问(E LOW )
4的读写比
5.操作温度
6.电源电压电平
这些信息描述了组件的类型,不得被视为保证的特点。条款
交付和权利,改变设计保留。
2004年4月21日
13