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UL62H256ASK35G1 参数 Datasheet PDF下载

UL62H256ASK35G1图片预览
型号: UL62H256ASK35G1
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内容描述: 低电压的汽车快32K ×8 SRAM [Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 162 K
品牌: ZMD [ Zentrum Mikroelektronik Dresden AG ]
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UL62H256A
低电压的汽车快32K ×8 SRAM
特点
!
32768 ×8位CMOS静态RAM
!
35和55 ns访问时间
!
常见的数据输入和
描述
进入高阻抗,直到新的信息
是可用的。数据输出有
没有最好的状态。读周期
由W的下降沿完成后,
或以电子邮件的上升沿, respec-
tively 。
数据保存期限保证下
2五,除E号,所有
输入包括NOR门,所以
没有上拉/下拉电阻
是必需的。
该UL62H256A是一个静态RAM
使用CMOS亲制
塞斯技术具有以下
操作模式:
数据输出
- 阅读
- 待机
!
三态输出
- 写
- 数据保留
!
典型值。工作电源电流
存储器阵列的基础上的
35纳秒: 45毫安
6晶体管单元。
55纳秒: 30毫安
!
待机电流< 40微安,在125 ℃下的电路是由fal-激活
E.凌缘的地址和
!
TTL / CMOS兼容
控制输入​​同时打开。
!
电源电压2.5 - 3.6 V
根据W的信息
!
工作温度范围
-40 ° C至85°C
和G时,数据输入,或输出
-40 ° C至125°C
是活动的。在读周期中,
数据输出被激活的
!
QS 9000质量标准
下降的G力,事后
!
ESD保护> 2000伏
( MIL STD 883C M3015.7 )
数据字将是可利用的
输出DQ0 - DQ7 。后
!
闭锁抗扰度>100毫安
地址变化时,数据输出
!
包装: SOP28 (三百三十〇分之三百密耳)
引脚配置
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
信号名称
A0 - A14
DQ0 - DQ7
E
G
W
VCC
VSS
信号说明
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
电压
SOP
21
20
19
18
17
16
15
顶视图
2004年5月7日
1