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MMBT5551 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551图片预览
型号: MMBT5551
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内容描述: 高压晶体管NPN硅 [HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管高压放大器
文件页数/大小: 4 页 / 87 K
品牌: ZOWIE [ ZOWIE TECHNOLOGY CORPORATION ]
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ZOWIE科技股份有限公司
高压晶体管
NPN硅
3
BASE
1
2
2
辐射源
集热器
3
MMBT5551
1
SOT-23
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
140
160
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
=25 C
o
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗氧化铝基板,
(2)
T
A
=25 C
o
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
o
o
符号
P
D
R
JA
P
D
R
JA
T
J,
T
英镑
马克斯。
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/
o
C
o
C / W
mW
毫瓦/
o
C
o
C / W
o
C
器件标识
MMBT5551=G1
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
o
开关特性
集电极 - 发射极电压Breakdowe
( I
C
= 1.0mAdc ,我
B
=0 )
集电极 - 基极电压Breakdowe
( I
C
= 100 uAdc ,我
E
=0 )
发射基Breakdowe电压
( I
E
= 10 uAdc ,我
C
=0 )
基地截止电流
( V
CE
= 120伏,我
E
=0 )
( V
CE
= 120伏,我
E
=0, T
A = 100
o
C
)
收藏家Cuto FF电流
( V
EB
= 4.0伏,我
C
=0 )
(1)的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
(2)氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300我们,占空比= 2.0 % 。
REV 。 : 0
ZOWIE科技股份有限公司
(3)
V
( BR ) CEO
160
-
VDC
V
( BR ) CBO
180
-
VDC
V
( BR ) EBO
6.0
-
VDC
I
CBO
-
-
-
50
50
50
NADC
uAdc
NADC
I
EBO