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  • APTGT100DA60TG图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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配单直通车
APTGT100DA60TG产品参数
型号:APTGT100DA60TG
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数:12
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.19
其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X12
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:12
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):340 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):370 ns
标称接通时间 (ton):180 ns
VCEsat-Max:1.9 V
Base Number Matches:1
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