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| 型号: | BC858B |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.56 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 类别： | Diodes |
| 极性： | PNP |
| V(BR)CEO (V) min.： | 30 |
| IC (A)： | 0.1 |
| hFE min： | 220 |
| hFE max： | 475 |
| Condition1_VCE (V)： | 5 |
| Condition1_IC (mA)： | 2 |
| VCE (sat) (V)： | 0.3 |
| Condition2_IC (mA)： | 10 |
| Condition2_IB (mA)： | 0.5 |
| fT (MHz) min.： | 100 |
| PD (W) max.： | 0.25 |
| AEC Qualified： | No |
| 最高工作温度： | 150 |
| 最低工作温度： | -55 |
| 生命周期： | Active |
| 是否无铅： | Yes |
| 符合Reach： | Yes |
| 符合RoHS： | Yes |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Package Outlines： | SOT-23 |
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